هر سال شرکت سامسونگ طی رویدادی تحت عنوان Foundry Forum از برنامه چند سال آینده خود خبر میدهد که این بار برنامه ای برای فناوری تولید چیپست های 3، 5 و 7 نانومتری ارائه داد.
تولید چیپست های 3 نانومتری سامسونگ
این برنامه که تا سال 2022 فرصت برای اجرا دارد شامل دستیابی به فناوری های سه نانومتری GAAE/GAAP، چهار نانومتری LPE/LPP، پنج نانومتری LPEو هفت نانومتری LPP است. علاوه بر این ابزارهای رابط با توان بالا هم در این مسیر قرار دارد.
به نقل از خود سامسونگ فناوری FinFET که برای فرایند 4 نانومتری به کار می رود، انتقال از چیپست های 5 نانومتری را آسانتر کرده و سرعت بالا و مصرف انرژی پایینتری دارد. سامسونگ زمان اجرای این فناوری ها را در سال های 2019 و 2020 اعلام کرده است.
فرایند 3 نانومتری با استفاده از GAA که نسل بعدی معماری نام برده می شود انجام می شود که کارایی آن توسط مهندسان کره ای که گیتی برای کنترل محدودیت ها در کارایی فناوری معرفی کرده اند تا میزان زیادی بهبود پیدا خواهد کرد.
حتما بخوانید: معرفی چیپست های جدید شرکت MSI
با این وضعیت رقابت میان کمپانی های تولید کننده چیپ مانند کوالکام، مدیاتک و TSMC برای تولید چیپ های کوچک و قدرتمند رو به افزایش است.
شرکت سامسونگ برای بهینه سازی دیتاسنترهای بزرگ، بهبود قابلیت های ماشینی و رشد بیشتر هوش مصنوعی AI راه حل های خود را به صورت یک پلتفرم ارائه داده است که در این صورت امکان ایجاد بهبودی چشمگیری در توان محاسباتی وجود دارد.
به تازگی هم برخی منابع آگاه و قابل اطمینان خبر از تولید چیپست ۷ نانومتری A12 داده اند که قابل استفاده برای آیفون توسط TSMC می باشد.
منبع: phone arena
|
۱۳۹۷ خرداد ۱۹, شنبه
تولید چیپست های 3 نانومتری سامسونگ
اشتراک در:
نظرات پیام (Atom)
هیچ نظری موجود نیست:
ارسال یک نظر